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变频器逆变模块损坏故障的处理方案
发布时间:2024-5-20 17:17:00   来源:杭州三科变频技术有限公司   人气值:

变频器Variable-frequency Drive,VFD)模块机逆变控制模块毁坏大多数是因为光耦电路毁坏导致一个桥臂上的两个电源开关器件同一时间通断所导致的。VFD逆变功率模块毁坏是无论在矢量素材VFD還是环保节能VFD等别的直流变频机器设备上普遍到的常见故障,处理这类难题仅有查到毁坏的直接原因,并最先清除再度毁坏的很有可能,才可以拆换逆变控制模块,不然换上去的新控制模块会再毁坏。



一、VFD故障判断


逆变功率模块关键有IGBT、IPM等,查验外型是不是已爆开,接线端子与相接印制电路板是不是有烧损印痕。用数字万用表查C-E、G-C、G-E是不是已通,或用数字万用表测P对U、V、W和N对U、V、W电阻器是不是有不一致,及其各驱动器输出功率器件操纵极对U、V、W、P、N的电阻器是不是有不一致,为此分辨是哪一输出功率器件毁坏。


二、VFD故障成因分析


(1)设备自身品质不佳。


(2)外界负荷有比较严重过电流量、不平衡,电机某相绕阻对地短路故障,有一相绕阻內部短路故障,负荷机械设备卡死,两色击穿,輸出电缆线有短路故障或对地短路故障。


(3)负荷里接了电容器,或因走线不善对地电容器很大,使整流管有冲击性电流量。


(4)客户电力网工作电压太高,或者有较强的一瞬间过电压,导致过电压毁坏。


(5)机内输出功率开关管的过电压消化吸收电源电路有毁坏,导致不可以合理消化吸收过电压而使IGBT毁坏。


(6)耦合电容因时间久了脆化,容积降低或內部电感器增大,对母线槽的过电压吸收力降低,导致母线槽上过电压太高而毁坏IGBT。一切正常运作时母线槽上的过电压是逆变电源开关器件单脉冲关闭时,母线槽控制回路的电感器储能技术变化而成的。


(7)IGBT或IPM输出功率器件的前面光学防护器件因击穿造成 输出功率器件也击穿,或因在印制电路板防护器件位置有浮尘、湿冷导致点火击穿,造成 IGBT、IPM毁坏。


(8)不适度的实际操作,或设计产品手机软件中有缺陷,在影响和启动、待机等不稳定状况下造成左右两输出功率电源开关器件一瞬间另外通断。


(9)遭雷击、房顶漏水侵入,脏东西进到、检查员误碰等出现意外。


(10)经检修拆换了滤波器电力电容器,因该电容器品质不太好,或收到电容器的线比原先长了,使电感器量提升,导致母线槽过电压力度显著上升。


(11)前面整流管毁坏,因为主开关电源前面进入了交流电流,导致IGBT、IPM毁坏。


(12)维修拆换功率模块,因沒有静电感应防护措施,在电焊焊接实际操作时毁坏了IGBT。或因维修中排热、拧紧、绝缘层等解决不太好,造成 短时间应用而毁坏。


(13)串联应用IGBT,在拆换时沒有考虑到型号规格、生产批号的一致性,造成 各串联元器件电流量不匀而毁坏。


(14)VFD內部维护电源电路(过电压、过电流量维护)的某元器件毁坏,丧失维护作用。


(15)VFD內部某组开关电源,尤其是IGBT驱动器级+、-开关电源毁坏,更改了輸出值或2组开关电源间绝缘层被击穿。